Microsemi / 2N6849
Afbeelding is ter referentie, neem contact met ons op om de echte foto te krijgen!
2N6849
| Onderdeelnummer fabrikant: | 2N6849 |
| Fabrikant: | Microsemi |
| Onderdeel van beschrijving: | MOSFET P-CH 100V 6.5A TO39 |
| Datasheets: | 2N6849 Datasheets |
| Loodvrije status / RoHS-status: | Loodvrij / RoHS-compatibel |
| Voorraadconditie:: | Op voorraad |
| Verschepen van: | Hong Kong |
| Verzending Manier:: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- OPMERKING
- Microsemi 2N6849 is beschikbaar op chipnets.com. We verkopen alleen nieuwe en originele onderdelen en bieden 1 jaar garantie. Als u meer wilt weten over de producten of een betere prijs wilt toepassen, neem dan contact met ons op, klik op de online chat of stuur een offerte naar ons.
Alle Eelctronics-componenten worden zeer veilig verpakt door ESD antistatische bescherming.
Specificatie
| Type | Beschrijving |
|---|---|
| Serie | - |
| Pakket | Bulk |
| Onderdeelstatus | Obsolete |
| FET-type | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Afvoer naar bronspanning (Vdss) | 100 V |
| Stroom - continue afvoer (id) @ 25 ° C | 6.5A (Tc) |
| Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan) | 10V |
| Rds Aan (Max) @ Id, Vgs | 320mOhm @ 6.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34.8 nC @ 10 V |
| Vgs (max.) | ±20V |
| Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds | - |
| FET-functie | - |
| Vermogensverlies (max.) | 800mW (Ta), 25W (Tc) |
| Bedrijfstemperatuur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montage type | Through Hole |
| Leverancier apparaatpakket | TO-39 |
| Pakket / doos | TO-205AF Metal Can |
Voorraadstatus: Verzending op dezelfde dag
Minimum: 1
| Hoeveelheid | Stuksprijs | Ext. Prijs |
|---|---|---|
Prijs is niet beschikbaar, gelieve RFQ |
||
Vrachtberekening
US $40 door FedEx.
Aankomst in 3-5 dagen
Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Gratis verzending op de eerste 0,5 kg voor bestellingen van meer dan 150 $, overgewicht wordt apart in rekening gebracht
Toegevoegd aan winkelwagen!
Dit artikel is toegevoegd aan uw winkelwagen.