Rectron USA / RM8N650LD
Afbeelding is ter referentie, neem contact met ons op om de echte foto te krijgen!
RM8N650LD
| Onderdeelnummer fabrikant: | RM8N650LD |
| Fabrikant: | Rectron USA |
| Onderdeel van beschrijving: | MOSFET N-CHANNEL 650V 8A TO252-2 |
| Loodvrije status / RoHS-status: | Loodvrij / RoHS-compatibel |
| Voorraadconditie:: | Op voorraad |
| Verschepen van: | Hong Kong |
| Verzending Manier:: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- OPMERKING
- Rectron USA RM8N650LD is beschikbaar op chipnets.com. We verkopen alleen nieuwe en originele onderdelen en bieden 1 jaar garantie. Als u meer wilt weten over de producten of een betere prijs wilt toepassen, neem dan contact met ons op, klik op de online chat of stuur een offerte naar ons.
Alle Eelctronics-componenten worden zeer veilig verpakt door ESD antistatische bescherming.
Specificatie
| Type | Beschrijving |
|---|---|
| Serie | - |
| Pakket | Tape & Reel (TR) |
| Onderdeelstatus | Active |
| FET-type | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Afvoer naar bronspanning (Vdss) | 650 V |
| Stroom - continue afvoer (id) @ 25 ° C | 8A (Tc) |
| Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan) | 10V |
| Rds Aan (Max) @ Id, Vgs | 540mOhm @ 4A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (max.) | ±30V |
| Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds | 680 pF @ 50 V |
| FET-functie | - |
| Vermogensverlies (max.) | 80W (Tc) |
| Bedrijfstemperatuur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montage type | Surface Mount |
| Leverancier apparaatpakket | TO-252-2 |
| Pakket / doos | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Voorraadstatus: Verzending op dezelfde dag
Minimum: 1
| Hoeveelheid | Stuksprijs | Ext. Prijs |
|---|---|---|
Prijs is niet beschikbaar, gelieve RFQ |
||
Vrachtberekening
US $40 door FedEx.
Aankomst in 3-5 dagen
Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Gratis verzending op de eerste 0,5 kg voor bestellingen van meer dan 150 $, overgewicht wordt apart in rekening gebracht
Toegevoegd aan winkelwagen!
Dit artikel is toegevoegd aan uw winkelwagen.